Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета, что не влияет на их основные параметры. |
10N120 N-channel IGBT 3A 1200V TO247 HGTG10N120BND ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00312 Информация о товаре Информация |
Цена:
799,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
10N37 N-Channel IGBT 10A 400V TO263 SMD STGB10NB37LZ ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00313 Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры КорпусD2PAK/TO263 Вес нетто1.35 г Макс. напр. коллектор-эмиттер440 В Макс. ток коллектора20 А Импульсный ток коллектора макс.40 А Напр. насыщения К-Э макс.1.8 В Макс. рассеиваемая мощность125 Вт Переключаемая энергия2.4 мДж Заряд затвора28 нКл Время задержки вкл./выкл.1.3 мкс/8 мкс |
Цена:
350,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
10N60 N-channel FET 10A 600V 115W TO220F KF10N60 ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ
номер товара: 00314 Информация о товаре Информация |
Цена:
60,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
10N60 N-channel FET 10A 600V 156W TO220 FQP10N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00315 Информация о товаре Информация |
Цена:
60,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
10N60 N-channel FET 10A 600V 50W TO220F FQP10NK60C ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00318 Информация о товаре Информацияmos,n-kanal,600v,5,1a |
Цена:
50,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
11N40 N-channel FET 9A 400V 115W TO220 STP11NK40 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 07788 Информация о товаре Информация |
Цена:
109,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
11N80 N-channel FET 11A 800V 115W TO220 STP11NM80 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 08571 Информация о товаре Информация |
Цена:
90,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
11N80 N-channel FET 11A 800V 115W TO220F SPA11N80 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 08571 Информация о товаре Информация |
Цена:
70,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
120N10 N-channel FET 110A 100V 312W TO220 STP120NF10 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 08215 Информация о товаре Информация |
Цена:
180,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
12N60 N-channel FET 12A 600V TO220 SSP12N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00425 Информация о товаре Информация |
Цена:
120,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
12N60 N-channel FET 12A 600V TO220F SSP12N60F ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00426 Информация о товаре ИнформацияRDS(ON) = 0.7Ω @VGS = 10 V * Ultra low gate charge ( typical 42 nC ) * Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 25 pF ) * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness |
Цена:
70,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
13003 NPN 1,5A/400V 40W TO126 ST13003-K ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00471 Информация о товаре Информациятранзистор биполярный символ ST13003 Направление руководства NPN токоприемник 1.5A Напряжение коллектор-эмиттер 400В мощность 40W частота 10МГц корпус TO126 установка сквозное отверстие (THT) |
Цена:
20,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
13007 NPN 8A 400V TO220 MJE13007 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00476 Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80 Корпус to220 |
Цена:
60,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
13009 NPN 12A 400V 2W 4MHz TO220 MJE13009 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00480 Информация о товаре ИнформацияVCEV Collector-emitter voltage (VBE = -1.5 V) 700 V VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 400 V VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 12 V IC Collector current 12 A ICM Collector peak current (tP < 5ms) 24 A IB Base current 6 A IBM Base peak current (tP < 5ms) 12 A Ptot Total dissipation at Tc = 25°C 100 W Tstg Storage temperature -65 to 150 °C TJ Max. operating junction temperature 150 °C |
Цена:
40,00 руб. |
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета, что не влияет на их основные параметры. |
13N50 N-channel FET 13A 500V FQPF13N50 TO220F ТРАНЗИСТОР
номер товара: 89654 Информация о товаре Информация |
Цена:
90,00 руб. |
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета, что не влияет на их основные параметры. |
140N75 N-channel FET 140A 75V TO220 P140NF75 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 89590 Информация о товаре Информация |
Цена:
150,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
15032 NPN 8A 250V MJE15032 TO220 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 06473 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: MJE15032 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50 Корпус транзистора: TO220 |
Цена:
60,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
15033 PNP 8A 250V MJE15033 TO220 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 06474 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: MJE15033 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50 Корпус транзистора: TO220 |
Цена:
70,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
20N120 N-Channel IGBT+DIOD 20A 1200V IHW20N120R3 TO247 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00621 Информация о товаре Информация |
Цена:
760,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
20N60 N-Channel FET 15A 600V 300W TO220F FQPF20N60 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00754 Информация о товаре Информацияmos,n-kanal,600v,20a |
Цена:
90,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
20N60 N-Channel FET 15A 600V TO220 SQPF20N60C3 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00753 Информация о товаре ИнформацияManufacturer INFINEON TECHNOLOGIES Transistor type N-MOSFET Polarisation unipolar Drain-source voltage 650V Drain current 20.7A Power 208W Case TO220 Gate-source voltage ±20V |
Цена:
100,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
20N60 N-Channel FET 20A 600V TO247 W20N60S5 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00752 Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом при 13a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208 Крутизна характеристики, S 12 Корпус to247ac Пороговое напряжение на затворе 5.5 |
Цена:
220,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
20N60 N-Channel IGBT 20A 600V TO3P SWG20N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 00752 Информация о товаре ИнформацияПроизводитель INFINEON TECHNOLOGIES Тип транзистора IGBT Технология TRENCHSTOP™ 3 Напряжение коллектор-эмиттер 600В Ток коллектора 20А Рассеиваемая мощность 170Вт Корпус TO247-3 Напряжение затвор - эмиттер ±20В Монтаж THT |
Цена:
220,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
25N06 N-channel FET 25A 60V TO252 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ номер товара: 02008 Информация о товаре Информацияmos,n-kanal+stab.,60v,60a |
Цена:
60,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
2N2222 NPN 0,8A 30V TO92 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 07834 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: 2N2222 Маркировка: 1B Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100 Корпус транзистора: TO18 |
Цена:
15,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
2N2907 PNP 0,6A 40V TO92 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 04172 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: 2N2907 Маркировка: 2B Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35 Корпус транзистора: TO92 |
Цена:
30,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
2N3055 NPN 15A 60V 115W T0-3 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 00998 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: 2N3055 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO3 |
Цена:
90,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
2N3904=2N3903 NPN 200mA 40V 625mW TO92 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 01002 Информация о товаре Информациятранзистор биполярный символ 2N3904 Направление руководства NPN токоприемник 0.2A Напряжение коллектор-эмиттер 40V мощность 350mW частота 300MHz корпус TO92 |
Цена:
30,00 руб. |
![]() что не влияет на их основные параметры. |
2N4401 NPN 0,6A 40V 0.63w TO92 ТРАНЗИСТОР
номер товара: 01006 Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: 2N4401 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100 Корпус транзистора: TO92 |
Цена:
24,00 руб. |
Войти на сайт