КАТАЛОГ ТОВАРОВ
ТРАНЗИСТОРЫ.
-
IGBT ТРАНЗИСТОРЫ (28)
-
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (196)
-
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (127)
-
ТРАНЗИСТОРНЫЕ СБОРКИ (13)
-
ФОТОТРАНЗИСТОР (2)
-
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10N120 N-channel IGBT 3A 1200V TO247 HGTG10N120BND ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00312
Информация о товаре ИнформацияЦена:
799,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10N37 N-Channel IGBT 10A 400V TO263 SMD STGB10NB37LZ ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 4
номер товара: 00313
Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры
КорпусD2PAK/TO263
Вес нетто1.35 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер440 В
Макс. ток коллектора20 А
Импульсный ток коллектора макс.40 А
Напр. насыщения К-Э макс.1.8 В
Макс. рассеиваемая мощность125 Вт
Переключаемая энергия2.4 мДж
Заряд затвора28 нКл
Время задержки вкл./выкл.1.3 мкс/8 мкс
Цена:
150,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10N60 N-channel FET 10A 600V 115W TO220F KF10N60 ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ
Остаток на складе: 5
номер товара: 00314
Информация о товаре ИнформацияЦена:
60,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10N60 N-channel FET 10A 600V 156W TO220 FQP10N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 14
номер товара: 00315
Информация о товаре ИнформацияЦена:
60,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10N60 N-channel FET 10A 600V 50W TO220 FQP10NK60C ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Поступление товара ожидается: 26-04-2018
номер товара: 00318
Информация о товаре Информацияmos,n-kanal,600v,5,1aЦена:
50,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.10P06 P-channel FET 10A 60V STD10PF06 TO252 DPAK SMD ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00327
Информация о товаре ИнформацияZener ProtectedЦена:
297,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.11N40 N-channel FET 9A 400V 115W TO220 STP11NK40 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 07788
Информация о товаре ИнформацияЦена:
140,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.11N80 N-channel FET 11A 800V 115W TO220 STP11NM80 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 6
номер товара: 08571
Информация о товаре ИнформацияЦена:
90,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.11N80 N-channel FET 11A 800V 115W TO220F SPA11N80 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 08571
Информация о товаре ИнформацияЦена:
120,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.120N10 N-channel FET 110A 100V 312W TO220 STP120NF10 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 08215
Информация о товаре ИнформацияЦена:
255,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.12N60 N-channel FET 12A 600V TO220 SSP12N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 00425
Информация о товаре ИнформацияЦена:
120,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.12N60 N-channel FET 12A 600V TO220F SSP12N60F ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 17
номер товара: 00426
Информация о товаре ИнформацияRDS(ON) = 0.7Ω @VGS = 10 V
* Ultra low gate charge ( typical 42 nC )
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 25 pF )
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggednessЦена:
90,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.13003 NPN 1,5A/400V 40W TO126 ST13003-K ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 10
номер товара: 00471
Информация о товаре Информациятранзистор биполярный
символ ST13003
Направление руководства NPN
токоприемник 1.5A
Напряжение коллектор-эмиттер 400В
мощность 40W
частота 10МГц
корпус TO126
установка сквозное отверстие (THT)Цена:
20,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.13007 NPN 8A 400V TO220 MJE13007 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 10
номер товара: 00476
Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to220Цена:
80,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.13009 NPN 12A 400V 2W 4MHz TO220 MJE13009 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 16
номер товара: 00480
Информация о товаре ИнформацияVCEV Collector-emitter voltage (VBE = -1.5 V) 700 V
VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 400 V
VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 12 V
IC Collector current 12 A
ICM Collector peak current (tP < 5ms) 24 A
IB Base current 6 A
IBM Base peak current (tP < 5ms) 12 A
Ptot Total dissipation at Tc = 25°C 100 W
Tstg Storage temperature -65 to 150 °C
TJ Max. operating junction temperature 150 °CЦена:
60,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.13009 NPN 12A 400V 2W 4MHz TO220 MJE13009 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00478
Информация о товаре Информация12A 700/400VЦена:
121,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.15032 NPN 8A 250V MJE15032 TO220 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 1
номер товара: 06473
Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: MJE15032
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO220
Цена:
60,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.15033 PNP 8A 250V MJE15033 TO220 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 6
номер товара: 06474
Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: MJE15033
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO220
Цена:
70,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.20N120 N-Channel IGBT+DIOD 20A 1200V IHW20N120R3 TO247 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00621
Информация о товаре ИнформацияЦена:
760,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.20N60 N-Channel FET 20A 600V TO3P W20N60S ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 3
номер товара: 00752
Информация о товаре ИнформацияТехнические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом при 13a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 12
Корпус to247ac
Пороговое напряжение на затворе 5.5Цена:
180,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.20N60 N-Channel IGBT 20A 600V TO3P SWG20N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 00752
Информация о товаре ИнформацияПроизводитель INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора IGBT
Технология TRENCHSTOP™ 3
Напряжение коллектор-эмиттер 600В
Ток коллектора 20А
Рассеиваемая мощность 170Вт
Корпус TO247-3
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Монтаж THT
Цена:
220,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.20N60 N-Channel FET 15A 600V TO220 SQPF20N60C3 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 10
номер товара: 00753
Информация о товаре ИнформацияManufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor type N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 650V
Drain current 20.7A
Power 208W
Case TO220
Gate-source voltage ±20V
Цена:
100,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.20N60 N-Channel FET+DIOD 15A 600V 300W TO220F FQPF20N60 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 2
номер товара: 00754
Информация о товаре Информацияmos,n-kanal,600v,20aЦена:
90,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.23N15 N-channel FET 23A 150V 136W TO220 IRFB23N15D ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00869
Информация о товаре ИнформацияЦена:
80,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.25N06 N-channel FET 25A 60V TO252 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Поступление товара ожидается: 26-08-2020
номер товара: 02008
Информация о товаре Информацияmos,n-kanal+stab.,60v,60aЦена:
60,00 руб. -
-
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.29N50 N-channel FET 29A 500V 378W TO247 STW29NK50Z ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00987
Информация о товаре ИнформацияZENER PROTECTEDЦена:
515,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.2N2222 NPN 0,8A 30V TO18 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00996
Информация о товаре ИнформацияЦена:
24,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.2N2222 NPN 0,8A 30V TO18 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: под заказ
Дата поступления товара неустановлена
номер товара: 00995
Информация о товаре Информацияnpn,60-75v,0,8aЦена:
41,00 руб. -
Фотографии товаров являются наглядными иллюстрациями и могут отличаться от реального вида предмета,
что не влияет на их основные параметры.2N2222 NPN 0,8A 30V TO92 ТРАНЗИСТОР
Остаток на складе: 32
номер товара: 07834
Информация о товаре ИнформацияНаименование производителя: 2N2222
Маркировка: 1B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO18
Цена:
30,00 руб.
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец
Войти на сайт